美光G9工艺UFS 4.1/3.1存储芯片出货，为智能手机带来AI新体验

近日，美光科技正式揭晓了其革命性的智能手机存储解决方案，标志着全球首款基于G9工艺节点的UFS 4.1与UFS 3.1存储芯片已开始向市场供货。这一创新成果不仅预示着智能手机本地人工智能能力的显著提升，更为未来旗舰产品的性能树立了新的标杆。

据悉，这些前沿的存储芯片紧随美光即将于2026年初推出的1y工艺LPDDR5X芯片之后，预计将很快应用于高端智能手机中。LPDDR5X芯片的推出无疑为这一系列的存储解决方案增添了更多期待。

从技术层面来看，新型UFS 4.1与UFS 3.1存储芯片在硬件性能上实现了质的飞跃。得益于美光的G9工艺节点，这些芯片不仅能效更高，读写速度也得到了显著提升。存储容量范围从256GB至1TB，完美适配超薄及折叠屏智能手机，满足用户对大容量与高性能的双重需求。

值得注意的是，美光在软件优化方面同样不遗余力，旨在通过软件与硬件的协同，进一步提升用户体验及人工智能任务的执行效率。UFS 4.1存储解决方案引入了分区UFS技术，这一创新技术有效提升了读写效率，并显著降低了写入放大效应。同时，数据碎片整理功能也得到了增强，使得UFS设备内部的数据重定位和碎片整理效率提高了60%。

固定写入加速器（Pinned WriteBooster）的加入，更是将存储在写入加速器缓冲区中的数据访问速度提升了高达30%，为用户带来了更为流畅的使用体验。而智能延迟追踪器则通过智能分析延迟日志，自动进行调试优化，这一功能同样适用于UFS 3.1芯片。值得注意的是，部分高级功能如分区UFS技术和固定写入加速器等，为UFS 4.1芯片所独有，展现了其在性能上的领先地位。